Định nghĩa Perfect RAM là gì?

Perfect RAMPerfect RAM. Đây là nghĩa tiếng Việt của thuật ngữ Perfect RAM – một thuật ngữ thuộc nhóm Technology Terms – Công nghệ thông tin.

Độ phổ biến(Factor rating): 5/10

Perfect RAM là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên non-volatile. Nó lưu trữ dữ liệu bằng cách thay đổi trạng thái của vật liệu sử dụng; kính chalcogenide chuyển mạch giữa các quốc gia khi nó phải chịu sức nóng được tạo ra bởi sự di chuyển của một dòng điện. Ở mức độ vi, dữ liệu thay đổi qua lại giữa hai trạng thái: vô định hình và tinh thể. Perfect RAM là một trong những công nghệ bộ nhớ cạnh tranh để thay thế bộ nhớ flash, trong đó có một số vấn đề. Thuật ngữ này còn được gọi là PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, chalcogenide RAM, C-RAM, và Phase-Change Memory (PCM).

Xem thêm: Thuật ngữ công nghệ A-Z

Giải thích ý nghĩa

Trong trạng thái vô định hình (hoặc giai đoạn xáo trộn), vật liệu có tính dẫn điện cao. Trong trạng thái tinh thể (hoặc giai đoạn đặt hàng), nó có sức đề kháng kém. Như vậy, dòng điện được phép phải được bật và tắt, mà đại diện cao kỹ thuật số và các quốc gia thấp tương ứng với 1 và 0 giá trị của một mã nhị phân. Nghiên cứu gần đây đã phát hiện ra hai trạng thái bổ sung, tăng gấp đôi dung lượng lưu trữ một cách hiệu quả. Viết lần cho một bộ nhớ flash là khoảng một phần nghìn giây cho một khối dữ liệu, hơn 100.000 lần so với 10 nano giây điển hình (ns) đọc thời gian cho một byte sử dụng RAM tĩnh (SRAM). Perfect RAM có thể cung cấp hiệu suất cao hơn nhiều khi viết nhanh là rất quan trọng. Bộ nhớ flash phân hủy với nhau bùng nổ của điện áp. thiết bị RAM hoàn hảo cũng suy giảm, nhưng với tốc độ chậm hơn nhiều. Các thiết bị này có thể chịu đựng khoảng 100 triệu ghi chu kỳ. Perfect đời RAM bị hạn chế bởi sự giãn nở nhiệt trong lập trình, di cư kim loại, và các cơ chế chưa được biết. Một số trong những thách thức đối với công nghệ RAM hoàn hảo liên quan đến các yêu cầu về mật độ lập trình cao hiện tại (điều khiển chính xác của hiện tại), dài hạn kháng (kháng bền vững để dòng điện), và trôi dạt điện áp ngưỡng (điều khiển chính xác của điện áp điện) – tất cả mức độ vi. Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics và Numonyx, trong số những người khác, đang nghiên cứu những thách thức này.

What is the Perfect RAM? – Definition

Perfect RAM is a type of non-volatile random access memory. It stores data by changing the state of the material used; chalcogenide glass switches between states when it is subjected to the heat produced by the passage of an electric current. On a microscopic level, the data changes back and forth between two states: amorphous and crystalline. Perfect RAM is one of several memory technologies competing to replace flash memory, which has a number of problems. This term is also known as PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM, and Phase-Change Memory (PCM).

Understanding the Perfect RAM

In the amorphous state (or disordered phase), the material has high electrical resistance. In the crystalline state (or ordered phase), it has less resistance. Thus, the electric current is allowed to be turned on and off, which represent digital high and low states corresponding to the 1 and 0 values of a binary code. Recent research has discovered two additional states, effectively doubling storage capacity. Write times for a flash memory are about one millisecond for a block of data, 100,000 times greater than the typical 10 nanosecond (ns) read time for a byte using static random access memory (SRAM). Perfect RAM can offer much higher performance when rapid writing is important. Flash memory degrades with each burst of voltage. Perfect RAM devices also degrade, but at a much slower rate. These devices can endure about 100 million write cycles. Perfect RAM lifetime is limited by thermal expansion during programming, metal migration, and unknown mechanisms. Some of the challenges for perfect RAM technology involve the requirement for high programming current density (precise control of current), long-term resistance (sustained resistance to electric current), and threshold voltage drift (precise control of electric voltage) – all at the microscopic level. Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics, and Numonyx, among others, are researching these challenges.

Thuật ngữ liên quan

  • Static Random Access Memory (SRAM)
  • Non-Volatile Memory (NVM)
  • Random Access Memory (RAM)
  • Binary Code
  • Resistance (R)
  • Flash Memory
  • Write Cycle
  • Memory Address
  • Alan Turing
  • Digital

Source: Perfect RAM là gì? Technology Dictionary – biabop – Techtopedia – Techterm

Rate this post